エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社は、65nmノードに対応する半導体デバイス用フォトマスク欠陥修正装置「SIR7000FIB」を4月に発売します。

SIR7000FIBは、集束イオンビーム（FIB）を用いて、微細な欠陥を修正する装置です。2003年1月に発売した90nmノード対応のフォトマスク欠陥修正装置「SIR5000」の使いやすさを継承しつつ、65nmノードの分解能、精度、低ダメージ化を実現しています。65nmノード世代で必要な60nm以下の微小な黒欠陥や白欠陥のいずれも、10nm以下の精度で修正することができる上、ガラスへのダメージを低減し、高透過率で修正することができます。

今回発売する「SIR7000FIB」は、株式会社半導体先端テクノロジーズ、および大日本印刷株式会社、凸版印刷株式会社、HOYA株式会社との共同研究成果を基に開発されたものです。

エスアイアイ・ナノテクノロジーのFIBによるフォトマスク欠陥修正装置は、1985年に世界で初めて販売を開始し、国内外で高いシェアを確保しています。今回のSIR7000FIBも国内外のフォトマスク製造メーカに向けて販売を進めてまいります。

【SIR7000FIBの主な特長】
1. 修正精度の向上
新型イオンビーム光学系の採用により、修正精度が従来の15nm（3σ）から、10nm（3σ）へ向上しました。

2. CADリンケージ機能による修正
図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出し、欠陥箇所と重ね合わせることによって、正常なパターンにできるだけ近い形状で修正することができます。

3. SMIF搬送機構の採用
SMIF Podによって運ばれてきたフォトマスクをクリーン度の高い搬送機構を通じてチャンバー内に搬送することができ、フォトマスクへのパーティクルの付着を防ぎます。

【価格】
SIR7000FIB本体　 5億5,000万円

【発売開始日】
2005年4月15日

以上

SIIニュースリリースへ

Back