| 概要 |
半導体デバイス用フォトマスクやレチクル上の欠陥をFIBによって修正する装置で、バイナリー及びハーフトーンマスクなどフォトマスク上の微小な欠陥や複雑な形状の欠陥を、高精度かつ低ダメージで修正する事が可能です。 |
| 特長 |
1. 新型イオン光学系を採用することにより、ビーム径を微細化することに成功しました。従来機に比べ、微小な欠陥箇所の観察と修正をすることができます。
2. 修正精度15nm（3Σ）を実現し、高精度な修正が可能です。
3. Windows ®2000ベースのオペレーションシステムを採用し、新開発のGUI環境を実現しました。
4. 二次イオン像に加え、二次電子像を利用した観察および修正を実現しました。 |
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